特許情報  > Cセクション 化学;冶金  > C30B:2012年


スポンサード リンク

窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法

スポンサード リンク

窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法

スポンサード リンク

【図1】
窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法 - 特開2012−12233【図1】


【図2】
窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法 - 特開2012−12233【図2】


【図3】
窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法 - 特開2012−12233【図3】


【図4】
窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法 - 特開2012−12233【図4】


【図5】
窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法 - 特開2012−12233【図5】


【図6】
窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法 - 特開2012−12233【図6】