特許情報  > Cセクション 化学;冶金  > C30B:2012年


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化合物半導体単結晶の製造方法

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化合物半導体単結晶の製造方法

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【図1】
化合物半導体単結晶の製造方法 - 特開2012−30999【図1】


【図2】
化合物半導体単結晶の製造方法 - 特開2012−30999【図2】


【図3】
化合物半導体単結晶の製造方法 - 特開2012−30999【図3】


【図4】
化合物半導体単結晶の製造方法 - 特開2012−30999【図4】


【図5】
化合物半導体単結晶の製造方法 - 特開2012−30999【図5】