特許情報 > Cセクション 化学;冶金
C23C 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
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- 特開2009−1853:容器用鋼板とその製造方法
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- 特開2009−1860:比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
- 特開2009−1861:比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
- 特開2009−1862:比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
- 特開2009−1863:窒化処理方法および異種材料接合機械部品、エンジンバルブの製造方法およびエンジンバルブ
- 特開2009−1866:エルビウムスパッタリングターゲット及びその製造方法
- 特開2009−1872:線状材の銅めっき方法および銅めっきワイヤ
- 特開2009−1873:伝熱部材の製造方法、パワーモジュール、車両用インバータ、及び車両
- 特開2009−1884:成膜装置
- 特開2009−1885:膜厚検知装置及び蒸着方法
- 特開2009−1889:減光フィルタの成膜方法及びこれを用いた減光フィルタ並びに撮像光量絞り装置
- 特開2009−1891:コールドスプレー用のノズル及びそのコールドスプレー用のノズルを用いたコールドスプレー装置
- 特開2009−1894:樹脂表面上への透明DLC膜の形成方法
- 特開2009−1895:シャドーマスク
- 特開2009−1896:化学蒸着用金属前駆体溶液
- 特開2009−1897:バイポーラ無電解プロセス方法
- 特開2009−1898:真空処理方法及び真空処理装置
- 特開2009−1899:金属酸化物薄膜の製造方法及び製造装置
- 特開2009−1902:プラズマの発生及びスパッタのためのコイル
- 特開2009−1903:金属製基礎材のための溶射された気密な保護層
- 特開2009−1904:半導体素子の薄膜形成方法
- 特開2009−1905:基体の表面に表面層を形成するための層組織及び層組織を製造するためのアーク蒸着源
- 特開2009−1906:基体の表面に表面層を形成するための層組織及び層組織を製造するための蒸着源
- 特開2009−1912:スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法
- 特開2009−1914:蒸着源、蒸着装置
- 特開2009−1915:蒸着方法
- 特開2009−7594:チタンアルミニウム合金等の耐酸化性皮膜の形成方法
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- 特開2009−7602:防錆処理方法及び転動装置
- 特開2009−7604:成膜装置
- 特開2009−7611:溶射皮膜形成装置および溶射皮膜形成方法
- 特開2009−7612:窒化部品の製造方法および無端金属ベルト
- 特開2009−7613:ポリイミド樹脂基材への金属薄膜パターン形成方法、金属薄膜回路パターン形成方法、金属薄膜基板、及び金属薄膜回路基板
- 特開2009−7636:低屈折率膜及びその成膜方法、並びに反射防止膜
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- 特開2009−7646:有機金属気相成長法、有機金属気相成長装置、プログラム、記録媒体、半導体レーザ製造方法、面発光レーザ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム
- 特開2009−7649:マスク用フレーム
- 特開2009−7651:減光フィルタの成膜方法、減光フィルタの製造装置及びこれを用いた減光フィルタ並びに撮像光量絞り装置
- 特開2009−7654:基体ホルダー及び真空容器
- 特開2009−7662:表面金属膜材料の作製方法、表面金属膜材料、金属パターン材料の作製方法、金属パターン材料、及びポリマー層形成用組成物
- 特開2009−7664:酸化亜鉛系の非晶質薄膜用スパッタリングターゲットおよびこの製造方法
- 特開2009−7670:金属ケイ素窒化物の被着方法
- 特開2009−7671:防錆処理金属、防錆皮膜形成用組成物およびそれを用いた防錆皮膜形成方法
- 特開2009−7674:選択スプレー式エッチングを使用して堆積チャンバ部分をクリーニングするための方法及び装置
- 特開2009−7678:トライボマイクロプラズマコーティング方法及び同コーティング装置
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