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H01L 半導体装置,他に属さない電気的固体装置(2011年分)
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熱電変換モジュール(特開2011−3559)
【課題】広い温度範囲で良好な接合性が確保され、熱電変換効率が高い、充填スクッテルダイト構造を有するSb系熱電変換材料を備えた熱電変換モジュールを提供する。【解決手段】熱電変換モジュールが、充填スクッテルダイト構造を有するSb系p型熱電変換材料1およびn型熱電変換材料2、高温側電極3を備えており、p型熱電変換材料1またはn型熱電変換材料2と高温側電極3との間…
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太陽光発電装置、その製造に用いられる太陽光パネル及び太陽光発電モジュール(特開2011−3561)
【課題】エネルギー変換効率の高い太陽光発電装置、及びその装置で用いられる太陽光発電パネル及び発電モジュールを提供する。【解決手段】使用する発電セルの間に透光領域Ztを設け、その面積がモジュール面積の10%以上、50%以下と成るようにした、両面型発電モジュール、又は片面型発電モジュールを用いる。両面型発電モジュールは、基板の表裏に発電セルを設けたものであり、こ…
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電子ユニット(特開2011−3565)
【課題】より高い生産性を有する電子ユニットを得る。【解決手段】本発明の電子ユニットは、電子部品を実装した基板110と、前記基板を固定するリードフレーム100と、前記リードフレームに設けられているスポットニッケルめっき部400と、前記基板と前記リードフレームを電気的に接続するワイヤ120と、前記基板と前記リードフレームの一部とを封止する樹脂130とを有し、前…
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半導体チップの製造方法(特開2011−3568)
【課題】本発明は、半導体基板の強度を維持しつつ、薄板化された半導体チップを製造できる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板10に、複数の半導体チップ形成領域11と、該複数の半導体チップ形成領域間に存在するチップ間領域12とを設け、前記半導体チップ形成領域を切り離すことにより、前記半導体基板よりも厚さが薄い複数の半導体チップ…
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成膜方法、前処理装置及び処理システム(特開2011−3569)
【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にMn等の第1の金属を含む薄膜、例えばMnOxを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】凹部2を有する絶縁層122が表面に形成された被処理体Wに第1の金属を含む薄膜を形成する成膜方法において、絶縁層の表面に親水化処理を施して親水性の表面にする親水化工程と、親水化処理の行われた絶縁層の表面に第1の金属を含…
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半導体装置(特開2011−3570)
【課題】デジタル領域とアナログ領域とが混載された半導体装置におけるデジタル領域からアナログ領域へのノイズ伝搬を効果的に抑制する。【解決手段】デジタル領域120とアナログ領域130とが混載された半導体装置100は、平面視でデジタル領域120およびアナログ領域130の外周を取り囲む環状のシールリング140と、シールリング140で囲まれた領域内で、デジタル領域1…
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ステージ装置、露光装置、クリーニング方法及びデバイス製造方法(特開2011−3572)
【課題】露光不良を抑制できる、ステージ装置、露光装置、クリーニング方法及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】基板ステージ2の基板保持部5(上面5a、表面P1aおよび先端部P1b)に、フィルム部材7が配置してある。フィルム部材7は、上面5a、表面P1aおよび先端部P1bから着脱することが可能である。
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半導体装置およびその製造方法(特開2011−3573)
【課題】リーク電流が確実に抑制される、メモリセルを内蔵したマイコン等のロジック製品に係る半導体装置と、その製造方法を提供する。【解決手段】ロジック領域RLにロジック部のトランジスタT1のゲート電極13bを形成する。ゲート電極13bの側壁をドライ酸化により酸化して、ゲート電極13bと半導体基板1との間に第1ゲートバーズビーク17を形成する。次に、メモリセル領…
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積層型圧電素子、これを用いた噴射装置および燃料噴射システム(特開2011−3574)
【課題】 高電界が印加された状態で長時間連続駆動させても、外部電極と外部の駆動装置等とを電気的に接続する外部接続部材が破断されることを効果的に抑制できる積層型圧電素子を得ること。【解決手段】 積層型圧電素子1は、圧電体層3と内部電極層5とが交互に複数積層された活性部2Aおよび活性部2Aの両端に積層された誘電体層3から成る不活性部2Bを有する積層体2と、積層体…
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磁界プローバ及び磁界印加方法(特開2011−3575)
【課題】プローブカードをガイドに保持させたときのZ方向の設置精度を向上し、均一磁界範囲に正確にプローブピンを設置することが可能であり、ひいては、磁界印加装置からの磁界を磁性体デバイスに対して精度良く印加させることができ、測定精度が高い磁界プローバを提供する。【解決手段】本発明に係る磁界プローバ1A(1)は、磁界印加手段2を有する磁界印加装置3と、プローブピ…
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半導体デバイスの製造方法(特開2011−3576)
【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨された半導体デバイスにゲッタリング能力を付与する。【解決手段】シリコン基板の裏面を研削することにより厚みを100μm以下とする裏面研削工程S31と、研削されたシリコン基板の裏面を研磨する裏面研磨工程S32と、研磨されたシリコン基板の裏面にレーザー照射を行う重金属捕獲層形成工程S33とを備える。本発明によれば、…
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シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法(特開2011−3577)
【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨される半導体デバイス用として好適なシリコンウェーハを提供する。【解決手段】シリコン基板11を用意する工程S11と、シリコン基板11上にn型のエピタキシャル膜12を成長させる第1のエピタキシャル工程S13と、エピタキシャル膜12上にデバイスが形成される第2のエピタキシャル膜13を成長させる第2のエピタキシャル…
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半導体装置(特開2011−3578)
【課題】半導体装置の外部端子に加わる外力により外部端子下の絶縁膜にクラックが生じるのを抑制または防止する。【解決手段】シリコン基板1の主面s1上に形成された配線層のうちの最上の配線層MHは、アルミニウムからなる導体パターン3によって形成されたパッドPD1を有し、パッドPD1の下面には、下層から順に積層された第1バリア導体膜bm1および第2バリア導体膜bm2…
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薄片状素子配列化基板の製造方法及び熱電変換モジュール(特開2011−3579)
【課題】生産性が高く、高密度で基板上に薄片状素子を単層配列することができる薄片状素子配列化基板の製造方法を提供することである。【解決手段】薄片状素子を基板に単層で配列させる薄片状素子配列化基板の製造方法において、素子搬送液体を用いて液体傾斜流で該薄片状素子を搬送する工程と、該薄片状素子を集積化する工程と集積した薄片状素子を基板上に配列させる工程とを有する薄…
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半導体チップのマウント装置および半導体装置の製造方法(特開2011−3580)
【課題】半導体チップを基板に搭載し、はんだ付けするマウント装置において、はんだ供給部とチップ搭載部とを一体化したときに、チップ搭載部からはんだ供給部への熱伝導を抑制するとともに、これら両稼働部の基板や基板上の部品への衝突を防止する。【解決手段】はんだ供給部10は、その先端部11からはんだ4を基板2の一面に供給するものであり、チップ搭載部20は、その先端部2…
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成膜装置および薄膜素子の製造方法(特開2011−3581)
【課題】プラズマ電流が真空容器内のグランド電位のものに流れる現象を抑制し、安定して成膜を行うことのできる成膜装置を提供する。【解決手段】プラズマガンのプラズマ室1は、成膜室10に連結され、連結部側から順に、陽極4、中間電極3および陰極2が配置されている。陽極4と成膜室10との間には、グランド電位のグリッド5が備えられている。これにより、プラズマ電流の一部は、グランド…
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半導体装置(特開2011−3584)
【課題】複数の半導体素子間、あるいは半導体素子の機能部分間における電磁的なノイズを抑制し、動作の安定性、信頼性を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】配線基板20に複数の機能部分が平面的に区分されて形成された半導体素子30が搭載され、配線基板20に、半導体素子30の特定の機能部分を含む平面領域を、他の機能部分と区画する平面配置に、該配線基板30を厚さ…
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半導体素子及びその製造方法(特開2011−3586)
【課題】回路基板に確実に実装可能で、且つ、加熱に起因して発生する応力が抑制可能な半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子10において、複数の電極パッド13の上方に、中央部Aより中間部Bで、更に中間部Bより端部Cで膜厚が厚くなるように形成した絶縁部材15を設ける。各電極パッド13に接続するアンダーバンプメタル17は、それぞれ絶縁部材15から突出させ、その…
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反力処理機構、その反力処理機構を備えたステージ装置、及びそのステージ装置を備えた半導体検査装置(特開2011−3587)
【課題】本発明は、信頼性の向上を図ることができる反力処理機構、その反力処理機構を備えたステージ装置、及びそのステージ装置を備えた半導体検査装置を提供する。【解決手段】本発明は除振ユニット8を介して架台2上で支持された定盤3と、定盤3上をX軸方向に移動するステージ7と、定盤3に連結されたマグネットシャフト4を有するステージ駆動用シャフトモータ6と、を備えるス…
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赤外線検出素子及びその製造方法(特開2011−3588)
【課題】 信頼性の高い赤外線検出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る赤外線検出素子1は、基板2と、第1のPN接合部9と第2のPN接合部10とが交互に並ぶように基板2の一方の側の主面Aに沿って線状に延在すると共に、主面上で隣り合う部位が溝15によって仕切られたPN半導体層3と、第1のPN接合部9が一方の側に露出するように第2のPN接合部10…
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電子部品収納用パッケージ、および電子装置(特開2011−3589)
【課題】基体の壁部に形成された開口部に挿入されるコネクタが破損する可能性を低減できる電子部品収納用パッケージ、および電子装置を提供する。【解決手段】電子部品収納用パッケージは、電子部品2が収納されるキャビティCを有する基体3と、基体3の壁部3bに形成されており、かつキャビティCに通じる開口部Hと、開口部Hに挿入されており、かつ電子部品2と電気的に接続される…
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有機EL素子及びその製造方法(特開2011−3592)
【課題】有機EL素子の発光領域の輝度むらや電極の給電部近傍の有機層の劣化を防ぎ、複雑なマスクを用いずとも形成することができる有機EL素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】陽極1の上に有機層2が積層されており、有機層2上には陰極3が形成されている。陽極1と陰極3とで有機層2を挟んだ構造となっている。陽極1は給電部1aと電極領域1bとで構成されている。陰…
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半導体装置及びその製造方法(特開2011−3593)
【課題】トランジスタの微細化が進展しても、広いキャパシタ面積を確保し、容量を増大させることが可能なキャパシタを備える、半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、基板111と、基板上に、第1の電極材で形成された複数の第1の電極層と、第1の電極材と異なる第2の電極材で形成された複数の第2の電極層とが、キャパシタ絶縁膜を介して交互に積層さ…
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LED発光装置、LEDモジュール及び照明装置(特開2011−3594)
【課題】簡単で安価な構成でLEDチップによる色度バラツキを抑えることができるLED発光装置、LEDモジュール及び照明装置を提供する。【解決手段】LED発光装置11、LEDモジュール13及び照明装置10は、LEDチップ17,18,19,20と、LEDチップ17,18,19,20から発光される光により励起されて光を発光する蛍光体14と、を有し、それぞれの光の合…
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半導体集積回路(特開2011−3596)
【課題】配線の幅とピッチが変化する部分の欠陥に対するマージンを十分に確保することが可能な半導体集積回路を提供する。【解決手段】第1、第2の配線11,12は、配線の幅と配線間のスペースの幅が等しい。第3の配線13は、第1の配線11の一端に接続され、幅が第1の配線11の幅とスペースの幅に等しく、第2の配線12の側部に接続されている。第2の配線12は一部にギャッ…
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プラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置(特開2011−3597)
【課題】高速・高収率のプラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】反応容器2内に被エッチング材1を設置し、エッチングガスを導入し、被エッチング材1とプラズマ発生用電極4との間でプラズマ6を発生させ、被エッチング材1をエッチングする。被エッチング材1を、内部に空隙を有した通気性物質にて構成する。
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半導体装置の製造方法(特開2011−3598)
【課題】多段キャパシタの形成およびキャパシタシリンダを支えるサポート絶縁膜の周辺回路領域における除去を工程数を増大させることなく達成する、キャパシタシリンダが多段に積層されたキャパシタを有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】容量絶縁膜および上部電極の形成工程をそれぞれ1回の成膜工程で行うと共に、周辺回路領域のスルーホールエッチングや水素アニール…
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半導体製造装置および半導体製造方法(特開2011−3599)
【課題】より安定的なプロセス制御を実現しながら、スループットを向上させることが求められている。【解決手段】原料ガスと反応ガスとを交互に供給して半導体基板11上に薄膜を形成する半導体製造装置10であって、半導体基板11を収容し、排気されるようになっている反応室12と、反応室12に原料ガスを供給する原料ガス供給配管35と、反応室12からの排気量を調節する開度調…
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半導体記憶装置の製造方法(特開2011−3600)
【課題】紫外線の影響によるメモリセルの初期しきい値電圧の上昇を抑制できると共にコンタクト形成領域の面積を縮小できるようにする。【解決手段】半導体基板1の上にビット線拡散層5及びダミーワード線7aを含む複数のワード線7a、7b、7cを形成し、ワード線7a、7b、7cの側面にサイドウォール絶縁膜8を形成して、ワード線7a、7b、7cの間を埋め込み、半導体基板1…
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基板処理システム用加熱装置の昇温制御方法、プログラム、コンピュータ記録媒体及び基板処理システム(特開2011−3601)
【課題】基板処理システムの加熱装置を昇温するにあたり、ピーク時の消費電力を低減させる。【解決手段】ウェハを処理する塗布現像処理システム1の複数の熱処理ユニット40〜43は、処理レシピに設定されたウェハの処理順序で熱処理ユニットを昇温するルール、上下方向に積層して配置された熱処理ユニット40〜43の下から上の順に昇温するルール、昇温開始から昇温完了までの制定…
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多層配線、多層配線のダミー配線配置方法、半導体装置およびその製造方法(特開2011−3602)
【課題】層間絶縁膜のグローバル段差をより低減する。【解決手段】メタル配線11、21、31と層間絶縁膜12、22、32とが積層され、各層の層間絶縁膜を形成する毎に研磨して平坦化される多層配線60を積層方向からみて複数の領域52に分割し、領域毎に、各領域の面積に対する各領域内のメタル配線の占有面積の割合を、メタル配線についてそれぞれ求め、求めた割合を、領域毎に…
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半導体製造システムおよび半導体製造装置の制御方法(特開2011−3603)
【課題】ウェーハ面内のバラツキを低減し、製造歩留まりを向上できる半導体製造システムおよび半導体製造装置の制御方法を提供する。【解決手段】半導体製造装置3の処理室31、32のいずれかにおいて処理がなされた後、半導体製造装置4の処理室41、42、43のいずれかにおいて処理がなされたウェーハについて、半導体製造装置3、4による処理結果を当該ウェーハの処理経路と対…
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放熱板およびその放熱板の製造方法(特開2011−3604)
【課題】熱抵抗の増大を防止して放熱効率を高くすることができるとともに、組立精度を向上でき、かつ設置空間を節約できる放熱板およびその放熱板の製造方法を提供する。【解決手段】放熱板1は、少なくとも1つの平面に少なくとも1つの凹溝113が設けられた本体11と、第1の側面121およびこの第1の側面121と表裏関係にある第2の側面122を含み、第1の側面121が凹溝…
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プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法(特開2011−3605)
【課題】マスクと基板との位置合わせを精度良く行って、新たなパターンを下地パターンに合わせて精度良く露光する。【解決手段】マスク2及び基板1の下地パターンに設けられた複数のアライメントマークの画像を取得して、画像信号を出力する複数の画像取得装置51と、各画像取得装置51が出力した画像信号を処理して、アライメントマークの位置を検出する画像処理装置50とを設ける…
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有機エレクトロルミネッセンス素子(特開2011−3607)
【課題】本発明は、電極からの電荷の注入が良好であり、電荷注入輸送層と電極との界面での劣化が生じにくく、高効率で長寿命な有機EL素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、陽極と第1正孔注入輸送層と第2正孔注入輸送層と発光層と陰極とを有し、上記第1正孔注入輸送層の構成材料のイオン化ポテンシャルをIp1、上記第2正孔注入輸送層の構成材料のイオン化ポテンシ…
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半導体装置(特開2011−3608)
【課題】ハイサイド素子として用いても誤動作が少なく、かつ耐圧を高く維持することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】主表面を有する半導体基板SUBの内部には、p-エピタキシャル領域EP1が形成されている。p-エピタキシャル領域EP1の主表面側には、p-エピタキシャル領域EP2が形成されている。p-エピタキシャル領域EP2の主表面側には、n型ドリフト領域DR…
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電力用半導体素子(特開2011−3609)
【課題】本発明は、高アバランシェ耐量を有するスーパージャンクション構造の電力用半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】n+ドレイン層2と、横方向に周期的に設けられたnピラー層3およびpピラー層4と、ドレイン電極1と、pピラー層の表面に選択的に設けられたpベース層5と、pベース層よりも不純物濃度が高いp+コンタクト層6と、nソース層7と、ソース電極…
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ウエーハの研削方法および研削装置(特開2011−3611)
【課題】研削後のウエーハを損傷させることがないとともに、研削時に付着した研削屑を確実に除去することができるウエーハの研削方法および研削装置を提供する。【解決手段】チャックテーブルに保持されたウエーハの被研削面を研削手段によって研削するウエーハの研削方法であって、ウエーハの被研削面と反対側の支持面に液状樹脂を被覆して固化させ支持面に保護膜を形成する保護膜形成…
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半導体装置の製造方法および製造装置、半導体ウェハの支持シート(特開2011−3613)
【課題】粘着性支持シートに半導体ウェハを支持してダイシングし、個々の半導体チップに分離した後、次のピックアップ工程に備えて前記粘着性支持シートに紫外光照射して粘着性を低減する際に、半導体ウェハ周辺の非有効半導体チップについて粘着性の低減を抑制し、非有効半導体チップの脱落を抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、放射線により粘着力を低減させる粘着性の支…
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半導体記憶装置及びその製造方法(特開2011−3614)
【課題】微細化が進んだ場合であってもトランジスタのカットオフ特性を改善する。【解決手段】半導体基板100上に形成されるp型ウェル2には、ビット線BLの長手方向に沿って形成されたトレンチ3に素子分離絶縁膜4が埋め込まれている。素子分離絶縁膜4によりp型ウェル2が分離され、メモリトランジスタが形成される素子形成領域2Aが形成される。素子分離絶縁膜4にはボロン等…
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インプリント装置及び物品の製造方法(特開2011−3616)
【課題】 統一した基準でかつ1番目のショットからモールドによる成形の良否を判定できるインプリント装置を提供する。【解決手段】 インプリント装置は、モールド10によって成形された樹脂を撮像する撮像部40と、前記撮像部により撮像された画像の少なくとも一部の領域を、前記撮像部による撮像に先立って予め設定された基準状態の画像と比較して、前記モールドによる成形の良否を判定す…
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記憶素子及びメモリ(特開2011−3617)
【課題】大きな磁気抵抗変化率を確保しつつ、スピン注入時の電流を抑制し、かつ、絶縁破壊電圧を向上させることが可能な記憶素子を提供する。【解決手段】記憶層17と、この記憶層17を挟むように設けられた、絶縁層(第1の中間層)16及び絶縁層(第2の中間層)19と、第1の中間層16の記憶層17とは反対側に配置された第1の磁化固定層31と、第2の中間層19の記憶層17…
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電磁気素子用絶縁膜及び電界効果素子(特開2011−3620)
【課題】リーク電流を増大させることなく薄膜化が可能であり、素子を微細化することができ、しかも、界面準位に起因する動作の不安定化を生じるおそれが少ない電磁気素子用絶縁膜、及び、このような電磁気素子用絶縁膜を用いた電界効果素子を提供すること。【解決手段】12(CaxSr1-x)O・7Al2O3(0≦x≦1)で表される組成を有し、アモルファス構造を備えた電磁気素子用絶縁膜…
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撮像素子(特開2011−3622)
【課題】微細な画素ピッチであってもリーク電流や暗電流をなくすことができる撮像素子を提供する。【解決手段】フォトダイオ−ドPD及びカラーフィルタCFを含む複数の画素がシリコン基板10に配置された撮像素子において、シリコン基板10の厚さ方向の表面位置が隣接する画素間で異なるようにした。
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半導体ウェーハの製造方法及びその装置(特開2011−3624)
【課題】半導体に悪影響を及ぼしたり、半導体ウェーハの獲得が困難になるのを抑制し、製造装置を簡素化できる半導体ウェーハの製造方法及びその装置を提供する。【解決手段】回転ステージ11に半導体ウェーハ1を搭載してその隅の面取り部2を回転ステージ11の回転軸14に接近させ、X方向移動ステージ15を移動させて集光レンズ23の光軸27を半導体ウェーハ1の表面周縁部側に…
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集光装置および該集光装置を備える太陽電池(特開2011−3625)
【課題】太陽光発電装置に好適に用いられ、小型かつ姿勢制御が容易な集光装置を提供する。【解決手段】複数の微小電極が配列されてなる第1の透明電極11aおよび第2の透明電極11bと、透明電極の間に回転可能に保持され、正に帯電した第1部分と、負に帯電した第2部分とからなる透明ボール状部材13と、を含む集光装置10。第1の透明電極および第2の透明電極の少なくとも一方…
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実装基板およびそれを用いた薄型発光装置の製造方法(特開2011−3626)
【課題】バリの発生を抑止しつつ、一括して多数の発光装置を製造することを可能とする実装基板およびそれを用いた薄型発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実装基板では、セル22同士の境界に於いて導電箔が除去されている。具体的には、実装基板1の上面には、第1電極部11とマウント部17を囲む第2電極部12とからセル22が構成されており、多数個のセル22が…
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レーザ照射装置、及びレーザ照射方法(特開2011−3630)
【課題】 高品質の加工を行う。【解決手段】 レーザビームを出射するレーザ出射装置と、レーザ出射装置を出射したレーザビームが入射する加工対象物を保持するステージと、ステージに保持された加工対象物の、レーザビームが入射する位置の温度を測定する温度測定装置と、温度測定装置によって測定された加工対象物の温度が、(i)第1の温度範囲にある場合には、ステージに保持された…
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電力半導体装置(特開2011−3631)
【課題】長寿命で小型化が可能であり、さらに信頼性の向上を図ることができる電力半導体装置を提供する。【解決手段】電力半導体素子3を有し、方形状の断面を有し導電接続部10にて導体部8と電気的に接続される金属線6を有する電力半導体装置であって、上記導電接続部は、第1接続領域11と第2接続領域12とを有し、上記第1接続領域は、上記金属線の立ち上がり部6eに隣接し上…
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積層配線基板(特開2011−3633)
【課題】 シリコン基板を用いて、電極パッドの数や位置が異なる素子同士を電気的に接続することができる積層配線基板を提供する。【解決手段】 積層配線基板1においては、所定の比抵抗を有する低抵抗シリコン基板2と、その所定の比抵抗よりも高い比抵抗を有する高抵抗シリコン基板4とが、絶縁層3を挟んで積層されている。低抵抗シリコン基板2には、環状溝5によって包囲された電気…
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