H01L 半導体装置，他に属さない電気的固体装置（2011年分）

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熱電変換モジュール（特開２０１１−３５５９）
【課題】広い温度範囲で良好な接合性が確保され、熱電変換効率が高い、充填スクッテルダイト構造を有するＳｂ系熱電変換材料を備えた熱電変換モジュールを提供する。【解決手段】熱電変換モジュールが、充填スクッテルダイト構造を有するＳｂ系ｐ型熱電変換材料１およびｎ型熱電変換材料２、高温側電極３を備えており、ｐ型熱電変換材料１またはｎ型熱電変換材料２と高温側電極３との間…
太陽光発電装置、その製造に用いられる太陽光パネル及び太陽光発電モジュール（特開２０１１−３５６１）
【課題】エネルギー変換効率の高い太陽光発電装置、及びその装置で用いられる太陽光発電パネル及び発電モジュールを提供する。【解決手段】使用する発電セルの間に透光領域Ｚｔを設け、その面積がモジュール面積の１０%以上、５０%以下と成るようにした、両面型発電モジュール、又は片面型発電モジュールを用いる。両面型発電モジュールは、基板の表裏に発電セルを設けたものであり、こ…
電子ユニット（特開２０１１−３５６５）
【課題】より高い生産性を有する電子ユニットを得る。【解決手段】本発明の電子ユニットは、電子部品を実装した基板１１０と、前記基板を固定するリードフレーム１００と、前記リードフレームに設けられているスポットニッケルめっき部４００と、前記基板と前記リードフレームを電気的に接続するワイヤ１２０と、前記基板と前記リードフレームの一部とを封止する樹脂１３０とを有し、前…
半導体チップの製造方法（特開２０１１−３５６８）
【課題】本発明は、半導体基板の強度を維持しつつ、薄板化された半導体チップを製造できる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板１０に、複数の半導体チップ形成領域１１と、該複数の半導体チップ形成領域間に存在するチップ間領域１２とを設け、前記半導体チップ形成領域を切り離すことにより、前記半導体基板よりも厚さが薄い複数の半導体チップ…
成膜方法、前処理装置及び処理システム（特開２０１１−３５６９）
【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】凹部２を有する絶縁層１２２が表面に形成された被処理体Ｗに第１の金属を含む薄膜を形成する成膜方法において、絶縁層の表面に親水化処理を施して親水性の表面にする親水化工程と、親水化処理の行われた絶縁層の表面に第１の金属を含…
半導体装置（特開２０１１−３５７０）
【課題】デジタル領域とアナログ領域とが混載された半導体装置におけるデジタル領域からアナログ領域へのノイズ伝搬を効果的に抑制する。【解決手段】デジタル領域１２０とアナログ領域１３０とが混載された半導体装置１００は、平面視でデジタル領域１２０およびアナログ領域１３０の外周を取り囲む環状のシールリング１４０と、シールリング１４０で囲まれた領域内で、デジタル領域１…
ステージ装置、露光装置、クリーニング方法及びデバイス製造方法（特開２０１１−３５７２）
【課題】露光不良を抑制できる、ステージ装置、露光装置、クリーニング方法及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】基板ステージ２の基板保持部５（上面５ａ、表面Ｐ１ａおよび先端部Ｐ１ｂ）に、フィルム部材７が配置してある。フィルム部材７は、上面５ａ、表面Ｐ１ａおよび先端部Ｐ１ｂから着脱することが可能である。
半導体装置およびその製造方法（特開２０１１−３５７３）
【課題】リーク電流が確実に抑制される、メモリセルを内蔵したマイコン等のロジック製品に係る半導体装置と、その製造方法を提供する。【解決手段】ロジック領域ＲＬにロジック部のトランジスタＴ１のゲート電極１３ｂを形成する。ゲート電極１３ｂの側壁をドライ酸化により酸化して、ゲート電極１３ｂと半導体基板１との間に第１ゲートバーズビーク１７を形成する。次に、メモリセル領…
積層型圧電素子、これを用いた噴射装置および燃料噴射システム（特開２０１１−３５７４）
【課題】高電界が印加された状態で長時間連続駆動させても、外部電極と外部の駆動装置等とを電気的に接続する外部接続部材が破断されることを効果的に抑制できる積層型圧電素子を得ること。【解決手段】積層型圧電素子１は、圧電体層３と内部電極層５とが交互に複数積層された活性部２Ａおよび活性部２Ａの両端に積層された誘電体層３から成る不活性部２Ｂを有する積層体２と、積層体…
磁界プローバ及び磁界印加方法（特開２０１１−３５７５）
【課題】プローブカードをガイドに保持させたときのＺ方向の設置精度を向上し、均一磁界範囲に正確にプローブピンを設置することが可能であり、ひいては、磁界印加装置からの磁界を磁性体デバイスに対して精度良く印加させることができ、測定精度が高い磁界プローバを提供する。【解決手段】本発明に係る磁界プローバ１Ａ（１）は、磁界印加手段２を有する磁界印加装置３と、プローブピ…
半導体デバイスの製造方法（特開２０１１−３５７６）
【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨された半導体デバイスにゲッタリング能力を付与する。【解決手段】シリコン基板の裏面を研削することにより厚みを１００μｍ以下とする裏面研削工程Ｓ３１と、研削されたシリコン基板の裏面を研磨する裏面研磨工程Ｓ３２と、研磨されたシリコン基板の裏面にレーザー照射を行う重金属捕獲層形成工程Ｓ３３とを備える。本発明によれば、…
シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法（特開２０１１−３５７７）
【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨される半導体デバイス用として好適なシリコンウェーハを提供する。【解決手段】シリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１と、シリコン基板１１上にｎ型のエピタキシャル膜１２を成長させる第１のエピタキシャル工程Ｓ１３と、エピタキシャル膜１２上にデバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３を成長させる第２のエピタキシャル…
半導体装置（特開２０１１−３５７８）
【課題】半導体装置の外部端子に加わる外力により外部端子下の絶縁膜にクラックが生じるのを抑制または防止する。【解決手段】シリコン基板１の主面ｓ１上に形成された配線層のうちの最上の配線層ＭＨは、アルミニウムからなる導体パターン３によって形成されたパッドＰＤ１を有し、パッドＰＤ１の下面には、下層から順に積層された第１バリア導体膜ｂｍ１および第２バリア導体膜ｂｍ２…
薄片状素子配列化基板の製造方法及び熱電変換モジュール（特開２０１１−３５７９）
【課題】生産性が高く、高密度で基板上に薄片状素子を単層配列することができる薄片状素子配列化基板の製造方法を提供することである。【解決手段】薄片状素子を基板に単層で配列させる薄片状素子配列化基板の製造方法において、素子搬送液体を用いて液体傾斜流で該薄片状素子を搬送する工程と、該薄片状素子を集積化する工程と集積した薄片状素子を基板上に配列させる工程とを有する薄…
半導体チップのマウント装置および半導体装置の製造方法（特開２０１１−３５８０）
【課題】半導体チップを基板に搭載し、はんだ付けするマウント装置において、はんだ供給部とチップ搭載部とを一体化したときに、チップ搭載部からはんだ供給部への熱伝導を抑制するとともに、これら両稼働部の基板や基板上の部品への衝突を防止する。【解決手段】はんだ供給部１０は、その先端部１１からはんだ４を基板２の一面に供給するものであり、チップ搭載部２０は、その先端部２…
成膜装置および薄膜素子の製造方法（特開２０１１−３５８１）
【課題】プラズマ電流が真空容器内のグランド電位のものに流れる現象を抑制し、安定して成膜を行うことのできる成膜装置を提供する。【解決手段】プラズマガンのプラズマ室1は、成膜室10に連結され、連結部側から順に、陽極4、中間電極3および陰極2が配置されている。陽極4と成膜室10との間には、グランド電位のグリッド5が備えられている。これにより、プラズマ電流の一部は、グランド…
半導体装置（特開２０１１−３５８４）
【課題】複数の半導体素子間、あるいは半導体素子の機能部分間における電磁的なノイズを抑制し、動作の安定性、信頼性を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】配線基板２０に複数の機能部分が平面的に区分されて形成された半導体素子３０が搭載され、配線基板２０に、半導体素子３０の特定の機能部分を含む平面領域を、他の機能部分と区画する平面配置に、該配線基板３０を厚さ…
半導体素子及びその製造方法（特開２０１１−３５８６）
【課題】回路基板に確実に実装可能で、且つ、加熱に起因して発生する応力が抑制可能な半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子１０において、複数の電極パッド１３の上方に、中央部Ａより中間部Ｂで、更に中間部Ｂより端部Ｃで膜厚が厚くなるように形成した絶縁部材１５を設ける。各電極パッド１３に接続するアンダーバンプメタル１７は、それぞれ絶縁部材１５から突出させ、その…
反力処理機構、その反力処理機構を備えたステージ装置、及びそのステージ装置を備えた半導体検査装置（特開２０１１−３５８７）
【課題】本発明は、信頼性の向上を図ることができる反力処理機構、その反力処理機構を備えたステージ装置、及びそのステージ装置を備えた半導体検査装置を提供する。【解決手段】本発明は除振ユニット８を介して架台２上で支持された定盤３と、定盤３上をＸ軸方向に移動するステージ７と、定盤３に連結されたマグネットシャフト４を有するステージ駆動用シャフトモータ６と、を備えるス…
赤外線検出素子及びその製造方法（特開２０１１−３５８８）
【課題】信頼性の高い赤外線検出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る赤外線検出素子１は、基板２と、第１のＰＮ接合部９と第２のＰＮ接合部１０とが交互に並ぶように基板２の一方の側の主面Ａに沿って線状に延在すると共に、主面上で隣り合う部位が溝１５によって仕切られたＰＮ半導体層３と、第１のＰＮ接合部９が一方の側に露出するように第２のＰＮ接合部１０…
電子部品収納用パッケージ、および電子装置（特開２０１１−３５８９）
【課題】基体の壁部に形成された開口部に挿入されるコネクタが破損する可能性を低減できる電子部品収納用パッケージ、および電子装置を提供する。【解決手段】電子部品収納用パッケージは、電子部品２が収納されるキャビティＣを有する基体３と、基体３の壁部３ｂに形成されており、かつキャビティＣに通じる開口部Ｈと、開口部Ｈに挿入されており、かつ電子部品２と電気的に接続される…
有機ＥＬ素子及びその製造方法（特開２０１１−３５９２）
【課題】有機ＥＬ素子の発光領域の輝度むらや電極の給電部近傍の有機層の劣化を防ぎ、複雑なマスクを用いずとも形成することができる有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】陽極１の上に有機層２が積層されており、有機層２上には陰極３が形成されている。陽極１と陰極３とで有機層２を挟んだ構造となっている。陽極１は給電部１ａと電極領域１ｂとで構成されている。陰…
半導体装置及びその製造方法（特開２０１１−３５９３）
【課題】トランジスタの微細化が進展しても、広いキャパシタ面積を確保し、容量を増大させることが可能なキャパシタを備える、半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、基板１１１と、基板上に、第１の電極材で形成された複数の第１の電極層と、第１の電極材と異なる第２の電極材で形成された複数の第２の電極層とが、キャパシタ絶縁膜を介して交互に積層さ…
ＬＥＤ発光装置、ＬＥＤモジュール及び照明装置（特開２０１１−３５９４）
【課題】簡単で安価な構成でＬＥＤチップによる色度バラツキを抑えることができるＬＥＤ発光装置、ＬＥＤモジュール及び照明装置を提供する。【解決手段】ＬＥＤ発光装置１１、ＬＥＤモジュール１３及び照明装置１０は、ＬＥＤチップ１７，１８，１９，２０と、ＬＥＤチップ１７，１８，１９，２０から発光される光により励起されて光を発光する蛍光体１４と、を有し、それぞれの光の合…
半導体集積回路（特開２０１１−３５９６）
【課題】配線の幅とピッチが変化する部分の欠陥に対するマージンを十分に確保することが可能な半導体集積回路を提供する。【解決手段】第１、第２の配線１１，１２は、配線の幅と配線間のスペースの幅が等しい。第３の配線１３は、第１の配線１１の一端に接続され、幅が第１の配線１１の幅とスペースの幅に等しく、第２の配線１２の側部に接続されている。第２の配線１２は一部にギャッ…
プラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置（特開２０１１−３５９７）
【課題】高速・高収率のプラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】反応容器２内に被エッチング材１を設置し、エッチングガスを導入し、被エッチング材１とプラズマ発生用電極４との間でプラズマ６を発生させ、被エッチング材１をエッチングする。被エッチング材１を、内部に空隙を有した通気性物質にて構成する。
半導体装置の製造方法（特開２０１１−３５９８）
【課題】多段キャパシタの形成およびキャパシタシリンダを支えるサポート絶縁膜の周辺回路領域における除去を工程数を増大させることなく達成する、キャパシタシリンダが多段に積層されたキャパシタを有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】容量絶縁膜および上部電極の形成工程をそれぞれ１回の成膜工程で行うと共に、周辺回路領域のスルーホールエッチングや水素アニール…
半導体製造装置および半導体製造方法（特開２０１１−３５９９）
【課題】より安定的なプロセス制御を実現しながら、スループットを向上させることが求められている。【解決手段】原料ガスと反応ガスとを交互に供給して半導体基板１１上に薄膜を形成する半導体製造装置１０であって、半導体基板１１を収容し、排気されるようになっている反応室１２と、反応室１２に原料ガスを供給する原料ガス供給配管３５と、反応室１２からの排気量を調節する開度調…
半導体記憶装置の製造方法（特開２０１１−３６００）
【課題】紫外線の影響によるメモリセルの初期しきい値電圧の上昇を抑制できると共にコンタクト形成領域の面積を縮小できるようにする。【解決手段】半導体基板１の上にビット線拡散層５及びダミーワード線７ａを含む複数のワード線７ａ、７ｂ、７ｃを形成し、ワード線７ａ、７ｂ、７ｃの側面にサイドウォール絶縁膜８を形成して、ワード線７ａ、７ｂ、７ｃの間を埋め込み、半導体基板１…
基板処理システム用加熱装置の昇温制御方法、プログラム、コンピュータ記録媒体及び基板処理システム（特開２０１１−３６０１）
【課題】基板処理システムの加熱装置を昇温するにあたり、ピーク時の消費電力を低減させる。【解決手段】ウェハを処理する塗布現像処理システム１の複数の熱処理ユニット４０〜４３は、処理レシピに設定されたウェハの処理順序で熱処理ユニットを昇温するルール、上下方向に積層して配置された熱処理ユニット４０〜４３の下から上の順に昇温するルール、昇温開始から昇温完了までの制定…
多層配線、多層配線のダミー配線配置方法、半導体装置およびその製造方法（特開２０１１−３６０２）
【課題】層間絶縁膜のグローバル段差をより低減する。【解決手段】メタル配線１１、２１、３１と層間絶縁膜１２、２２、３２とが積層され、各層の層間絶縁膜を形成する毎に研磨して平坦化される多層配線６０を積層方向からみて複数の領域５２に分割し、領域毎に、各領域の面積に対する各領域内のメタル配線の占有面積の割合を、メタル配線についてそれぞれ求め、求めた割合を、領域毎に…
半導体製造システムおよび半導体製造装置の制御方法（特開２０１１−３６０３）
【課題】ウェーハ面内のバラツキを低減し、製造歩留まりを向上できる半導体製造システムおよび半導体製造装置の制御方法を提供する。【解決手段】半導体製造装置３の処理室３１、３２のいずれかにおいて処理がなされた後、半導体製造装置４の処理室４１、４２、４３のいずれかにおいて処理がなされたウェーハについて、半導体製造装置３、４による処理結果を当該ウェーハの処理経路と対…
放熱板およびその放熱板の製造方法（特開２０１１−３６０４）
【課題】熱抵抗の増大を防止して放熱効率を高くすることができるとともに、組立精度を向上でき、かつ設置空間を節約できる放熱板およびその放熱板の製造方法を提供する。【解決手段】放熱板１は、少なくとも１つの平面に少なくとも１つの凹溝１１３が設けられた本体１１と、第１の側面１２１およびこの第１の側面１２１と表裏関係にある第２の側面１２２を含み、第１の側面１２１が凹溝…
プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法（特開２０１１−３６０５）
【課題】マスクと基板との位置合わせを精度良く行って、新たなパターンを下地パターンに合わせて精度良く露光する。【解決手段】マスク２及び基板１の下地パターンに設けられた複数のアライメントマークの画像を取得して、画像信号を出力する複数の画像取得装置５１と、各画像取得装置５１が出力した画像信号を処理して、アライメントマークの位置を検出する画像処理装置５０とを設ける…
有機エレクトロルミネッセンス素子（特開２０１１−３６０７）
【課題】本発明は、電極からの電荷の注入が良好であり、電荷注入輸送層と電極との界面での劣化が生じにくく、高効率で長寿命な有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、陽極と第１正孔注入輸送層と第２正孔注入輸送層と発光層と陰極とを有し、上記第１正孔注入輸送層の構成材料のイオン化ポテンシャルをIp1、上記第２正孔注入輸送層の構成材料のイオン化ポテンシ…
半導体装置（特開２０１１−３６０８）
【課題】ハイサイド素子として用いても誤動作が少なく、かつ耐圧を高く維持することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢの内部には、ｐ-エピタキシャル領域ＥＰ１が形成されている。ｐ-エピタキシャル領域ＥＰ１の主表面側には、ｐ-エピタキシャル領域ＥＰ２が形成されている。ｐ-エピタキシャル領域ＥＰ２の主表面側には、ｎ型ドリフト領域ＤＲ…
電力用半導体素子（特開２０１１−３６０９）
【課題】本発明は、高アバランシェ耐量を有するスーパージャンクション構造の電力用半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】ｎ＋ドレイン層２と、横方向に周期的に設けられたｎピラー層３およびｐピラー層４と、ドレイン電極１と、ｐピラー層の表面に選択的に設けられたｐベース層５と、ｐベース層よりも不純物濃度が高いｐ＋コンタクト層６と、ｎソース層７と、ソース電極…
ウエーハの研削方法および研削装置（特開２０１１−３６１１）
【課題】研削後のウエーハを損傷させることがないとともに、研削時に付着した研削屑を確実に除去することができるウエーハの研削方法および研削装置を提供する。【解決手段】チャックテーブルに保持されたウエーハの被研削面を研削手段によって研削するウエーハの研削方法であって、ウエーハの被研削面と反対側の支持面に液状樹脂を被覆して固化させ支持面に保護膜を形成する保護膜形成…
半導体装置の製造方法および製造装置、半導体ウェハの支持シート（特開２０１１−３６１３）
【課題】粘着性支持シートに半導体ウェハを支持してダイシングし、個々の半導体チップに分離した後、次のピックアップ工程に備えて前記粘着性支持シートに紫外光照射して粘着性を低減する際に、半導体ウェハ周辺の非有効半導体チップについて粘着性の低減を抑制し、非有効半導体チップの脱落を抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、放射線により粘着力を低減させる粘着性の支…
半導体記憶装置及びその製造方法（特開２０１１−３６１４）
【課題】微細化が進んだ場合であってもトランジスタのカットオフ特性を改善する。【解決手段】半導体基板１００上に形成されるｐ型ウェル２には、ビット線ＢＬの長手方向に沿って形成されたトレンチ３に素子分離絶縁膜４が埋め込まれている。素子分離絶縁膜４によりｐ型ウェル２が分離され、メモリトランジスタが形成される素子形成領域２Ａが形成される。素子分離絶縁膜４にはボロン等…
インプリント装置及び物品の製造方法（特開２０１１−３６１６）
【課題】統一した基準でかつ1番目のショットからモールドによる成形の良否を判定できるインプリント装置を提供する。【解決手段】インプリント装置は、モールド10によって成形された樹脂を撮像する撮像部40と、前記撮像部により撮像された画像の少なくとも一部の領域を、前記撮像部による撮像に先立って予め設定された基準状態の画像と比較して、前記モールドによる成形の良否を判定す…
記憶素子及びメモリ（特開２０１１−３６１７）
【課題】大きな磁気抵抗変化率を確保しつつ、スピン注入時の電流を抑制し、かつ、絶縁破壊電圧を向上させることが可能な記憶素子を提供する。【解決手段】記憶層１７と、この記憶層１７を挟むように設けられた、絶縁層（第１の中間層）１６及び絶縁層（第２の中間層）１９と、第１の中間層１６の記憶層１７とは反対側に配置された第１の磁化固定層３１と、第２の中間層１９の記憶層１７…
電磁気素子用絶縁膜及び電界効果素子（特開２０１１−３６２０）
【課題】リーク電流を増大させることなく薄膜化が可能であり、素子を微細化することができ、しかも、界面準位に起因する動作の不安定化を生じるおそれが少ない電磁気素子用絶縁膜、及び、このような電磁気素子用絶縁膜を用いた電界効果素子を提供すること。【解決手段】１２(ＣａxＳｒ1-x)Ｏ・７Ａｌ2Ｏ3（０≦ｘ≦１）で表される組成を有し、アモルファス構造を備えた電磁気素子用絶縁膜…
撮像素子（特開２０１１−３６２２）
【課題】微細な画素ピッチであってもリーク電流や暗電流をなくすことができる撮像素子を提供する。【解決手段】フォトダイオ−ドＰＤ及びカラーフィルタＣＦを含む複数の画素がシリコン基板１０に配置された撮像素子において、シリコン基板１０の厚さ方向の表面位置が隣接する画素間で異なるようにした。
半導体ウェーハの製造方法及びその装置（特開２０１１−３６２４）
【課題】半導体に悪影響を及ぼしたり、半導体ウェーハの獲得が困難になるのを抑制し、製造装置を簡素化できる半導体ウェーハの製造方法及びその装置を提供する。【解決手段】回転ステージ１１に半導体ウェーハ１を搭載してその隅の面取り部２を回転ステージ１１の回転軸１４に接近させ、Ｘ方向移動ステージ１５を移動させて集光レンズ２３の光軸２７を半導体ウェーハ１の表面周縁部側に…
集光装置および該集光装置を備える太陽電池（特開２０１１−３６２５）
【課題】太陽光発電装置に好適に用いられ、小型かつ姿勢制御が容易な集光装置を提供する。【解決手段】複数の微小電極が配列されてなる第１の透明電極１１ａおよび第２の透明電極１１ｂと、透明電極の間に回転可能に保持され、正に帯電した第１部分と、負に帯電した第２部分とからなる透明ボール状部材１３と、を含む集光装置１０。第１の透明電極および第２の透明電極の少なくとも一方…
実装基板およびそれを用いた薄型発光装置の製造方法（特開２０１１−３６２６）
【課題】バリの発生を抑止しつつ、一括して多数の発光装置を製造することを可能とする実装基板およびそれを用いた薄型発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実装基板では、セル２２同士の境界に於いて導電箔が除去されている。具体的には、実装基板１の上面には、第１電極部１１とマウント部１７を囲む第２電極部１２とからセル２２が構成されており、多数個のセル２２が…
レーザ照射装置、及びレーザ照射方法（特開２０１１−３６３０）
【課題】高品質の加工を行う。【解決手段】レーザビームを出射するレーザ出射装置と、レーザ出射装置を出射したレーザビームが入射する加工対象物を保持するステージと、ステージに保持された加工対象物の、レーザビームが入射する位置の温度を測定する温度測定装置と、温度測定装置によって測定された加工対象物の温度が、（ｉ）第１の温度範囲にある場合には、ステージに保持された…
電力半導体装置（特開２０１１−３６３１）
【課題】長寿命で小型化が可能であり、さらに信頼性の向上を図ることができる電力半導体装置を提供する。【解決手段】電力半導体素子３を有し、方形状の断面を有し導電接続部１０にて導体部８と電気的に接続される金属線６を有する電力半導体装置であって、上記導電接続部は、第１接続領域１１と第２接続領域１２とを有し、上記第１接続領域は、上記金属線の立ち上がり部６ｅに隣接し上…
積層配線基板（特開２０１１−３６３３）
【課題】シリコン基板を用いて、電極パッドの数や位置が異なる素子同士を電気的に接続することができる積層配線基板を提供する。【解決手段】積層配線基板１においては、所定の比抵抗を有する低抵抗シリコン基板２と、その所定の比抵抗よりも高い比抵抗を有する高抵抗シリコン基板４とが、絶縁層３を挟んで積層されている。低抵抗シリコン基板２には、環状溝５によって包囲された電気…